OLED沉积设备

设备用途

用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等，可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作，也可用于大批量生产前的试验工作。

设备组成

设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统等部分组成。

技术参数：

主真空室		方型真空室，尺寸 400x400x400mm
真空系统配置		分子泵、机械泵、闸板阀
极限压力		≤6.0x10^-5Pa
恢复真空时间		40分钟可达9x10^-4Pa（短时间暴露大气并充入干燥氮气后开始抽气）
基片加热台	样品尺寸	120x120mm, 一片
	运动方式	基片可上下升降，运动范围 0～50mm基片可连续回转，转速 5～30转/分
	加热	基片加热最高温度300℃基片到蒸发源距离 250～300mm
有机蒸发源	坩埚	坩埚容量：≥2cc
	温度	室温～500℃，连续可调
	功率	电流300A，最大输最大出功率3kW
	水冷电极	4根，组成2个蒸发舟
石英晶体膜厚控制仪		检测膜厚显示范围：0--99μ9999A
设备占地面积	主机	2450×1250mm²（尺寸大小同手套箱配合）独立机架：770x600 mm²，手套箱：1830x750mm²
设备占地面积	电控柜	700x700mm²（一个）