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分子束外延具体参数
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分子束外延具体参数

分子束外延具体参数

分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)是一种在超高、超洁净真空条件下,高度可控的外延生长技术通过多个高纯束流源提供的原子或分子束之间的相互作用,在加热的晶体衬底上外延生长薄膜材料,其控制精度可达到单原子层尺度。

产品描述

核心部件

我们拥有核心技术的自主开发能力,并且已实现关键核心部件的国产化,可提供束源炉、衬底架、溅射离子泵、衬底除气台、线性机械手、高能电子衍射仪和涡旋干泵等关键部件的全方面支持。
工艺支持

我们拥有涵盖工艺生长、本材料测试等多种技术领域的专业工艺团队支持,与国内顶尖的 MBE 科学家团队等进行深度合作。可提供工艺稳定、同一工艺样品重复性高的成熟工艺包。

技术服务

我们拥有经验丰富的专业服务团队,业内领先的关键部件、耗材备件基地和测试平台,可优质高效地提供实验室搬迁,设备清洗修复等个性化服务、预防性维护及定期培训指导。

定制化产品

我们与客户密切合作协同创新,量身定制的MBE 系统可满足客户多样化的科研及生产需求,在实际应用环境中不断积累研发及应用经验,实现技术赶超。

系列化产

MBE 设备在衬底尺寸及数量方面,涵盖了科研及生产领域的不同需求。在材料体系方面,完成了I-V族化合物、II-VI族化合物、IV族化合物、氧化物、氮化物等主流体系的系列化布局。

技术参数:

MBE 型号MBE30MBE45MBE60MBE90MBE110MBE140
衬底2吋3吋4吋/3x2吋10吋/4x4,7x3吋12吋/2x6,7x4吋20吋/7x6,14x4吋
衬底加热800°C800°C1050°C1000°C1000°C1050°C
腔体数量3334~54~55~6
应用材料III-V、II-VI 族、锗硅III-V、II-VI 族、氧化物III-V、II-VI 族、氧化物III-V、II-VI 族、氧化物III-V、II-VI 族、锗硅III-V、II-VI 族
在线检测束流、RGA、RHEED束流、晶振、RGA、RHEED束流、晶振、RGA、RHEED束流、晶振、RGA、RHEED束流、RGA、RHEED束流、RGA、RHEED
束源数量81012121110
束源挡板旋转式翻转式翻转式翻转式摆动式摆动式
束源温度1500±0.1°C1500±0.1°C1400±0.1°C1400±0.1°C1400±0.1°C1400±0.1°C
膜厚不均匀性≤±2%≤±2%≤±1.5%≤±2%≤±2%≤±2%