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ALD单原子层薄膜生长设备
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ALD单原子层薄膜生长设备

ALD单原子层薄膜生长设备

设备用途

原子层沉积(Atomic Layer Deposition)是⼀种可精确控制膜层厚度的薄膜制备方法,可在基底上实现金属、氧化物、碳(氮、硫、硅)化物、各类半导体材料和超导材料等的沉积。

产品描述

设备主要针对氧化锌(ZnO)为代表的透明导电薄膜和三氧化二铝(Al2O3)等介电材料膜层的生长。设备操作简单可靠,各实验参数灵活可变,能够满足高校及研究所对薄膜材料和复杂表面均匀包覆的科研需要。
技术参数:

真空室真空腔体氩弧焊接不锈钢材料,上掀盖结构
底部排气口连接真空干泵
极限压力5Pa
整体真空漏率<10-8Pa.l/s
基片加热器外加热系统,室温~450℃连续可调
衬底尺寸Ф50~100mm
膜厚均匀性对Ф晶元的ZnO膜而言薄膜厚度均匀性小于±1%
ALD工作气体输运控制气路液态源气路可按客户要求定制
气态源气路可按客户要求定制
 真空排气系统双侧无油干式真空泵1台
真空管路1套
真空监测皮拉尼电阻规测量范围:1.0x105Pa~3.0x10-2Pa
数据采集记录和人机交互界面1套
 电器控制系统样品加热电源1套
电磁换向阀1套
总控制电源1套
安装机台钢材焊接,蒙板快卸,脚轮可固定可移动
设备占地面积600x600x1200mm