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设备用途
原子层沉积(Atomic Layer Deposition)是⼀种可精确控制膜层厚度的薄膜制备方法,可在基底上实现金属、氧化物、碳(氮、硫、硅)化物、各类半导体材料和超导材料等的沉积。
设备主要针对氧化锌(ZnO)为代表的透明导电薄膜和三氧化二铝(Al2O3)等介电材料膜层的生长。设备操作简单可靠,各实验参数灵活可变,能够满足高校及研究所对薄膜材料和复杂表面均匀包覆的科研需要。
技术参数:
真空室 | 真空腔体 | 氩弧焊接不锈钢材料,上掀盖结构 |
底部排气口 | 连接真空干泵 | |
极限压力 | 5Pa | |
整体真空漏率 | <10-8Pa.l/s | |
基片加热器 | 外加热系统,室温~450℃连续可调 | |
衬底尺寸 | Ф50~100mm | |
膜厚均匀性 | 对Ф晶元的ZnO膜而言薄膜厚度均匀性小于±1% | |
ALD工作气体输运控制气路 | 液态源气路 | 可按客户要求定制 |
气态源气路 | 可按客户要求定制 | |
真空排气系统 | 双侧无油干式真空泵 | 1台 |
真空管路 | 1套 | |
真空监测 | 皮拉尼电阻规 | 测量范围:1.0x105Pa~3.0x10-2Pa |
数据采集记录和人机交互界面 | 1套 | |
电器控制系统 | 样品加热电源 | 1套 |
电磁换向阀 | 1套 | |
总控制电源 | 1套 | |
安装机台 | 钢材焊接,蒙板快卸,脚轮可固定可移动 | |
设备占地面积 | 600x600x1200mm |