电话：159 8962 3158
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设备用途
设备用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料，特别适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。
技术参数：
| 型号 | LMBE-450 | |
| 技术指标 | ||
| 主真空室 | 球形结构，尺寸Ф450mm | |
| 进样室 | 筒型卧式结构，尺寸Ф150x300mm | |
| 真空系统配置 | 主真空室 | 机械泵、分子泵、离子泵、升华泵、阀门 |
| 进样室 | 机械泵、分子泵、阀门 | |
| 极限压力 | 主真空室 | ≤5.0x10-8Pa（经烘烤除气后） |
| 进样室 | ≤5.0x10-5Pa（经烘烤除气后） | |
| 恢复真空时间 | 主真空室 | 20分钟可达5.0x10-3 Pa（短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气） |
| 进样室 | 20分钟可达5.0x10-3 Pa（短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气） | |
| 旋转靶台 | 靶材最大尺寸2英寸，每次可以装4块靶材，可实现公转换靶每块靶材可自转，转速 5～60转/分 | |
| 基片加热台 | 样品尺寸 | Ф51mm |
| 运动方式 | 基片可连续回转，转速 5～60转/分 | |
| 加 热 | 基片加热最高温度 800℃±1℃ | |
| 气路系统 | 质量流量控制器1路全金属角阀1路 | |
| 可选部件 | 差分式高能电子衍射仪（RHEED） | 高能电源：最高能量25KV，最大束流100μA |
| RHEED强度振荡，生长速率监测系统 | 主要由摄像头，硬件，计算机控制软件包等组成可实现≥20周期膜层振荡曲线 | |
| 激光束扫描装置 | 二维扫描机械平台，执行两自由度扫描。 | |
| 计算机控制系统 | 控制包括公转换靶、靶自转、样品自转、样品控温、激光束扫描等 | |
| 四极质谱仪 | 质量数：1～100 | |
| 设备占地面积 | 主 机 | 1300x850mm2 |
| 电 控 柜 | 700x700mm2（两个） | |
设备用途
系统主要由外延生长室、制备室、快速进样系统（进样室）、真空获得系统、进样系统、传输导轨、高能电子衍射系统、电器控制系统、计算机控制系统等组成。
设备用途
系统用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
技术参数：
| 型号 | MBE-400 | |
| 技术指标 | ||
| 主真空室 | 尺寸Ф450x765mm（H） | |
| 进样室 | 尺⼨Ф300x900mm（L） | |
| 真空系统配置 | 主真空室 | 复合分子泵、机械泵、离子泵、升华泵、手动闸板阀 |
| 进样室 | 机械泵、分子泵、阀门 | |
| 极限压力 | 主真空室 | ≤5.0x10-8Pa(经烘烤除气后） |
| 进样室 | ≤1.0x10-6Pa(经烘烤除气后） | |
| 恢复真空时间 | 主真空室 | 35分钟可达6.6x10-4 Pa(短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气） |
| 进样室 | 35分钟可达6.6x10-3 Pa(短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气） | |
| 束 源 炉 | 束源炉数量：8台，采用带水冷结构，源炉加热温度1300℃控温精度±1度，控温器采用日本进口 | |
| 差分式高能电子衍射仪（RHEED） | 高能电源：最高能量25KV，最大束流100μA荧光屏：1块观察窗；挡板：1套；照像用黑筒：1套 | |
| 制备室转台 | 样品尺寸 | Ф3英寸 |
| 运动方式 | 基片可连续回转，转速 5～60转/分 | |
| 加 热 | 基片加热最高温度 800℃±1℃ | |
| 外延生长室转台 | 样品尺寸 | Ф3英寸 |
| 运动方式 | 基片可连续回转，转速 5～60转/分 | |
| 加 热 | 基片加热最高温度 800℃±1℃ | |
| 调整角度 | 手动左侧65°，右侧25° | |
| 气路系统 | 质量流量控制器2路，全金属角阀 | |
| 计算机控制系统 | 泵抽，束源炉挡板开关，样品自转。 | |
| 设备占地面积 | 主 机 | 1800x1400mm2 |
| 电 控 柜 | 700x700mm2（两个） | |
