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设备组成
系统主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片水冷加热公转台、Kaufman离子枪、四工位转靶、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等组成。
技术参数：
| 型号 | MIB-560 | |
| 真空室 | 立式圆筒形，尺寸Ф550x450mm | |
| 真空系统配置 | 复合分子泵、机械泵、闸板阀 | |
| 极限压力 | ≤6.67x10-5Pa（经烘烤除气后） | |
| 恢复真空时间 | 40分钟可达6.6x10-4Pa（短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气） | |
| 基片水冷加热公转台 | 基片结构 | 设计6个工位，其中1个工位安装加热炉，其余工位为水冷基片台 |
| 样品尺寸 | Ф30mm，可放置6片 | |
| 运动方式 | 0～360°住复回转 | |
| 加 热 | 基片加热最高温度600℃±1℃ | |
| 基片负偏压 | -200V | |
| 磁控靶组件 | 永磁靶4套；靶材尺寸Ф60mm（其中一个可以溅射铁磁性材料）各靶射频溅射与直流溅射兼容；靶与样品距离 40～80mm可调 | |
| 四工位转靶组件 | 靶材尺寸 70x70mm | |
| 主溅射离子枪 | 引出栅直径Ф30mm；离子束能量0.4～2.0Kev连续可调；离子流密度 1～5mA/cm2 | |
| 辅助沉积离子枪 | 引出栅直径Ф30mm；离子束能量 0.4～1.5Kev连续可调离子流密度1～3mA/cm2 | |
| 气路系统 | 质量流量控制器3路 | |
| 计算机控制系统 | 控制靶挡板、四工位转靶换靶位、样品公转、样品挡板、样品控温等 | |
| 设备占地面积 | 主 机 | 1300x850mm2 |
| 电 控 柜 | 700x700mm2（两个） | |
