超高真空蒸发设备

设备用途

用于在高真空下蒸发不同厚度的各种金属与氧化物薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。蒸镀薄膜种类包括Au，Ti，Cr，Ag，Al，Cu，Fe，Ni，Ge，Pt，Pb，In， Mo，SiO₂等

工作原理

在高真空下，电子枪灯丝加热后发射热电子，被加速阳极加速，获得较大动能轰击到的蒸发材料上，把动能转化成热使蒸发材料加热气化，而实现蒸发镀膜。

电子束蒸发源由发射电子的热阴极、电子加速极和作为阳极的镀膜材料组成。

电子束蒸发源的能量可高度集中，使镀膜材料局部达到高温而蒸发。通过调节电子束的功率，可以方便的控制镀膜材料的蒸发速率，特别是有利于高熔点以及高纯金属和化合物材料。技术指标

1）薄膜片内不均匀性：±3% （金属，4英寸）；

2）薄膜片间不均匀性：±4% （金属，4英寸）；

3）极限真空：6.66x10^-6Pa；

4）装片：小于4英寸的任意规格的样品若干。

技术参数：

真空室		U型箱体前开门，后置抽气系统，尺寸 500x500x600mm²
真空系统配置		复合分子泵、机械泵、闸板阀
极限压力		≤6.67x10^-5 Pa （经烘烤除气后）
恢复真空时间		45分钟可达6.67x10^-4Pa（短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气）
电子束蒸发源	e型电子枪	一套，阳极电压：6kv、8kv；
	坩埚	水冷式坩埚，四穴设计，每个容量11ml
	功率	0～6KW可调
电阻蒸发源（可选）	功率、电压	电流300A，最大输出功率3Kw；5、10V
	数量	1套，可切换
	水冷电极	3根，组成2个蒸发舟
工件架类型及尺寸		基片尺寸：可放置4″基片；加热最高温度 800℃±1℃基片可连续回转，转速 5～60转/分；基片与蒸发源之间距离300～350mm可调手动控制样品挡板组件1套
气路系统		200SCCM质量流量控制器1路
石英晶振膜厚控制仪		监测膜厚显示范围：0～99μ9999A；
设备占地面积	主机	900x800mm²
	电控柜	800x800mm²（两个）